招標公告
1. 招標條件
本招標項目0.13um SiGe BiCMOS工藝PDK開發(fā) 該項目已具備招標條件，現(xiàn)對0.13um SiGe BiCMOS工藝PDK開發(fā) 進行國內(nèi)公開招標。2. 項目概況與招標范圍
2.1 招標編號：ZKX20250429A011 2.2 招標項目名稱：0.13um SiGe BiCMOS工藝PDK開發(fā) 。 2.3 數(shù)量：1套。 2.4 服務(wù)主要內(nèi)容： 1）BB器件和RF器件建模測試（支持Manual測試）； 2）提供V0.5 BB和RF Model，其中BB Model包括CMOS、LDMOS、Diode、BJT、HBT、Resistor、Capacitor，RF Model包括MOSFET、Capacitor、Resistor、Inductor、HBT、Interconnection。 3）提供V1.0 BB和RF Model（包含Statistical和Mismatch model），其中BB Model包括CMOS、LDMOS、Diode、BJT、HBT、Resistor、Capacitor，RF Model包括MOSFET、Capacitor、Resistor、Inductor、HBT、Interconnection。 4）提供V0.5和V1.0 PDK，包含PCell、DRC、LVS、PEX和環(huán)境設(shè)置，其中物理驗證規(guī)則包含ERC且必須支持Calibre工具。 2.5 服務(wù)3. 投標人資格要求
3.1投標人須為具有獨立承擔(dān)民事責(zé)任能力的在中華人民共和國境內(nèi)注冊的法人或其他組織，具備有效的營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書或其它營業(yè)登記證書。 3.2業(yè)績要求：投標人至少完成3套國內(nèi)半導(dǎo)體廠商的0.13um及以下Logic Model&PDK交付合同。 注：須提供合同復(fù)印件，其內(nèi)容須體現(xiàn)甲乙雙方簽字或蓋章頁、合同簽訂時間、合同標的物名稱等主要內(nèi)容（如有必要需提供相應(yīng)技術(shù)附件）。未按上述要求提供的業(yè)績不予認可。 3.3 其它要求：/。 3.4本次招標不接受聯(lián)合體投標。 3.5投標人必須向招標代理機構(gòu)4.
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編輯：365trade