昆明物理研究所二類超晶格ICP刻蝕機(jī)采購項(xiàng)目 國際招標(biāo)公告(1)

對(duì)下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo)，于2024-10-08在公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請(qǐng)合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。1、招標(biāo)條件項(xiàng)目概況:二類超晶格ICP刻蝕機(jī)，數(shù)量：1臺(tái)。資金到位或資金來源落實(shí)情況:資金已落實(shí)。項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說明:已具備招標(biāo)條件。2、招標(biāo)內(nèi)容招標(biāo)項(xiàng)目編號(hào):0653-244053A11017招標(biāo)項(xiàng)目名稱:昆明物理研究所二類超晶格ICP刻蝕機(jī)采購項(xiàng)目 項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國云南省招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):

序號(hào)	產(chǎn)品名稱	數(shù)量	簡要技術(shù)規(guī)格	備注
1	二類超晶格ICP刻蝕機(jī)	1臺(tái)	用于紅外焦平面探測器芯片高深寬比、高均勻性、低損傷探測器芯片刻蝕工藝。感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)采用模塊化設(shè)計(jì)，整機(jī)包括工藝模塊、傳輸模塊和軟件控制模塊；晶片在工藝模塊內(nèi)進(jìn)行刻蝕，工藝時(shí)，在晶片上方產(chǎn)生等離子體，對(duì)晶片進(jìn)行刻蝕；自動(dòng)傳輸模塊裝有機(jī)械手，實(shí)現(xiàn)晶片在其和工藝模塊之間的傳輸；感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)具備智能化的軟件操作系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)單片晶圓的自動(dòng)刻蝕工藝。	交貨期為合同生效后6個(gè)月內(nèi)； 交付地點(diǎn)為用戶最終使用現(xiàn)場

3、投標(biāo)人資格要求投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:（1）投標(biāo)人為設(shè)備制造商或授權(quán)代理商。（2）若投標(biāo)人為代理商或貿(mào)易公司，投標(biāo)人應(yīng)取得設(shè)備制造廠商對(duì)本次投標(biāo)設(shè)備的正式授權(quán)書。設(shè)備制造廠商只能授權(quán)一家代理商或貿(mào)易公司參與本次投標(biāo)。是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以4、
未曾在中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)（www.dlztb.com）上注冊(cè)會(huì)員的單位應(yīng)先注冊(cè)。登錄成功后根據(jù)招標(biāo)公告的相說明下載投標(biāo)文件！

項(xiàng)目 聯(lián)系人：李楊  
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