對下列產(chǎn)品及服務進行國際公開競爭性招標，于2024-10-08在公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式，現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。1、招標條件項目概況:二類超晶格ICP刻蝕機，數(shù)量：1臺。資金到位或資金來源落實情況:資金已落實。項目已具備招標條件的說明:已具備招標條件。2、招標內(nèi)容招標項目編號:0653-244053A11017招標項目名稱:昆明物理研究所二類超晶格ICP刻蝕機采購項目 項目實施地點:中國云南省招標產(chǎn)品列表(主要設備):
3、投標人資格要求投標人應具備的資格或業(yè)績:（1）投標人為設備制造商或授權代理商。（2）若投標人為代理商或貿(mào)易公司，投標人應取得設備制造廠商對本次投標設備的正式授權書。設備制造廠商只能授權一家代理商或貿(mào)易公司參與本次投標。是否接受聯(lián)合體投標:不接受未領購招標文件是否可以參加投標:不可以4、
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| 序號 | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術規(guī)格 | 備注 |
| 1 | 二類超晶格ICP刻蝕機 | 1臺 | 用于紅外焦平面探測器芯片高深寬比、高均勻性、低損傷探測器芯片刻蝕工藝。感應耦合等離子體刻蝕機采用模塊化設計，整機包括工藝模塊、傳輸模塊和軟件控制模塊；晶片在工藝模塊內(nèi)進行刻蝕，工藝時，在晶片上方產(chǎn)生等離子體，對晶片進行刻蝕；自動傳輸模塊裝有機械手，實現(xiàn)晶片在其和工藝模塊之間的傳輸；感應耦合等離子體刻蝕機具備智能化的軟件操作系統(tǒng)，實現(xiàn)單片晶圓的自動刻蝕工藝。 | 交貨期為合同生效后6個月內(nèi)； 交付地點為用戶最終使用現(xiàn)場 |
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